Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Lódzkiej; Komputerowe projektowanie ukladów

b) model Q2N5109

.MODEL Q2N5109 NPN

+ IS=5E-15 ISE=10NA NE?4 ISC=10NA NC=4

+ BF=90 IKF=0.2A VAF=240 CJC=5PF CJE=10PF

+ RB=0.25 RE=0.25 RC=1.5 TF=0.1NS TR=20NS

+ KF=1E-15

c)

model MOD3

.MODEL MOD3 NPN

Rysunek 2.4.1.1

Rysunek 2.4.2.1

Rysunek 2.4.2.2

2.4.2.

Analiza ukladu zawierającego tranzystor bipolarny

Na rysunku 2.4.2.1 przedstawiono uklad elektroniczny zawierający tranzystor bipolarny.

a)

ANALIZA DC: Wykreślić na wspólnym rysunku charakterystyki przejściowe (napięcie V(3) w funkcji

napięcia VIN). Napięcie VIN zmienia się od 0V do 10,0V z krokiem 0,1V. Wyjaśnić ksztalt uzyskanych

przebiegów ze szczególnym uwzględnieniem przyczyn występowania zalamań charakterystyki.

b) ANALIZA AC: Wykonać analizę AC od 10Hz do 10000MegHz w skali logarytmicznej z 101 punktami

na dekadę. Zmień wartości elementów i / lub dodaj odpowiednie elementy tak, by pasmo przenoszenia

wynosilo 10kHz ­ 20kHz, natomiast wzmocnienie napięciowe 10 (lub zgodnie z poleceniem

prowadzącego).

c)  ANALIZA TR: Wykonać analizę TR wykorzystując parametry impulsu wejściowego VIN zgodnie z

rysunkiem 2.4.2.2. Wykreślić następujące przebiegi:

  moc chwilowa tracona w tranzystorze oraz uśredniona za kilka okresów (np. 3-10)

  moc chwilowa tracona w rezystorze RC oraz uśredniona za kilka okresów (np. 3-10)

Strona 15 z 61