Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Lódzkiej; Komputerowe projektowanie ukladów

a)

ANALIZA DC: Wykreślić na wspólnym rysunku charakterystyki przejściowe obu tranzystorów JFET

(napięcie V(3) w funkcji napięcia VIN). Napięcie VIN zmienia się od ­0,5V do 10,0V z krokiem 0,2V.

b) ANALIZA AC: Wykonać analizę AC od 100Hz do 1000MegHz w skali logarytmicznej z 101 punktami

na dekadę. W oparciu o analizę AC wyjaśnić jaki wplyw na pracę ukladu ma rezystor RIN.

c)  ANALIZA TR: Wykonać analizę TR od 0 do 1,0E-6s z krokiem 0,02E-6s przy sygnale wejściowym

pokazanym na rysunku 2.2.2

d) PROJEKT: W oparciu o uklad polączeń z rysunku 2.2.1 obliczyć, a następnie zweryfikować

poprawność obliczeń odpowiednimi symulacjami w programie Spice, wzmacniacz o punkcie pracy i

wzmocnieniu napięciowym ustalonym z prowadzącym zajęcia.

Uwaga: Analiza a), b) i c) powinna być wykonana przy pomocy jednego programu, a krzywe powinny być

porównane i skomentowane na jednym rysunku.

Zadanie 2.3 (Tydzień 7, opcja 3) Tranzystor MOS-FET

2.3.1.

Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOS-FET dla trzech różnych wartości parametrów modelu.

Rysunek 2.3.1.1 przedstawia uklad potrzebny do wykonania symulacji.

Rysunek 2.3.1.1

a) MODEL MOD1:

.MODEL MOD1 NMOS

VTO=-1V

NSUB=1E15

UO=550

b) MODEL MOD2:

.MODEL MOD2 NMOS

LEVEL=2

+

VTO=-1.3

KP=4.64E-5

GAMMA=0.284

PHI=0.6

+

CJ=1.38E-4

TOX=6.5E-8

NSUB=6.84E14

XJ=0.5E-6

+

LD=0.35E-6

UO=875

UCRIT=6.0E4

UEXP=0.15

+

UTRA=0.5

CGSO=1.85E-10

CGDO=1.85E-10

+

JS=1E-7

VMAX=2.5E4

DELTA=1

c) MODEL MOD3:

.MODEL MOD3 NMOS

Napięcie VDS zmienia się od 0 do 20V z krokiem 0,2V.

Napięcie VGS zmienia się od 0 do 5V z krokiem 1,0V.

Strona 13 z 61