img
Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Lódzkiej; Komputerowe projektowanie ukladów
Ćwiczenie 2 (Tydzień 7) Tranzystory
Zadanie 2.1 (Tydzień 7, opcja 1) Obwody z tranzystorami
Opisać za pomocą instrukcji programu Spice obwody pokazane na rysunku 2.1.1, 2.1.2, 2.1.3
a)  Charakterystyki wyjściowe tranzystora JFET. Narysować na wspólnym wykresie i porównać charakterystyki
wyjściowe tranzystora JFET, którego model ma następujące parametry:
Model 1
.MODEL XJFET NJF
VTO= -3V
BETA=1E-4
LAMBDA=2E-2
+
CGS=2PF
CGD=2PF
PB=1V
IS=1E-14
i charakterystyki tranzystora JFET dla modelu wbudowanego w program PSPICE:
Model 2
.MODEL XJDEF NJF
Napięcie VDS zmienia się od 0 do 25 V z krokiem 0,5V.
Napięcie VGS zmienia się od ­2 do 1V z krokiem 1,0V.
Rysunek 2.1.1 przedstawia uklad potrzebny do wykonania symulacji.
Sprawozdanie: zamieścić odpowiedni wykres
b) Tranzystor MOS-FET. Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOS-FET dla trzech różnych wartości
parametrów modelu.
Model MOD1:
.MODEL MOD1 NMOS
VTO=-1V
NSUB=1E15
UO=550
Model MOD2:
.MODEL MOD2 NMOS
LEVEL=2
+  VTO=-1.3
KP=4.64E-5
GAMMA=0.284
PHI=0.6
+  CJ=1.38E-4
TOX=6.5E-8
NSUB=6.84E14
XJ=0.5E-6
+  LD=0.35E-6
UO=875
UCRIT=6.0E4
UEXP=0.15
+  UTRA=0.5
CGSO=1.85E-10
CGDO=1.85E-10
+  JS=1E-7
VMAX=2.5E4
DELTA=1
Model MOD3:
.MODEL MOD3 NMOS
Napięcie VDS zmienia się od 0 do 20V z krokiem 0,2V.
Napięcie VGS zmienia się od 0 do 5V z krokiem 1,0V
Rysunek 2.1.2 przedstawia uklad potrzebny do wykonania symulacji.
Sprawozdanie: zamieścić odpowiedni wykres
c)
Tranzystor bipolarny. Narysować i porównać charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w ukladzie
polączeń pokazanym na rysunku 2.1.3 dla trzech różnych wartości parametrów modelu:
Model BUX48
.MODEL BUX48 NPN
+ IS=1.7E-10
BF=40
VAF=800
IKF=2.5
ISE=10U
NE=4 BR=2
+ ISC=10U
NC=4
RB=0.7
RE=0.02
RC=0.12
+ CJE=715P
VJE=1.89
MJE=0.586
TF=0.17NS
+ CJC=189P
VJC=0.986
MJC=0.428
TR=1100NS
+ CJS=125P
EG=1.11
XTI=3.0
KF=0
AF=1
FC=0.5
Strona 10 z 61